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氮化鎵 (GaN) 功率集成電路 (“IC”) 的行業(yè)領導者 Navitas Semiconductor 宣布推出采用 GaNSense 技術的 GaNFast™ 功率 IC。GaNSense 技術集成了關鍵、實時、自主的傳感和保護電路，進一步提高了 Navitas 業(yè)界領先的可靠性和穩(wěn)健性，同時提高了 Navitas GaN IC 技術的節(jié)能和快速充電優(yōu)勢。

氮化鎵 (GaN ) 是一種下一代半導體技術，其運行速度比傳統(tǒng)硅快 20 倍，并且在尺寸和重量減半的情況下，功率提高了 3 倍，充電速度提高了 3 倍。Navitas 的 GaNFast™ 電源 IC 集成了 GaN 電源和驅動以及保護和控制，以提供簡單、小巧、快速和高效的性能。

GaNSense 技術集成了對包括電流和溫度在內的系統(tǒng)參數(shù)的實時、準確和快速傳感。該技術實現(xiàn)了正在申請專利的無損電流感應功能，與前幾代產(chǎn)品相比，可將節(jié)能提高多達 10%，并進一步減少外部組件數(shù)量并縮小系統(tǒng)占位面積。此外，如果 GaN IC 識別出潛在的危險系統(tǒng)狀況，該 IC 旨在快速過渡到逐周期睡眠狀態(tài)，從而保護設備和周圍系統(tǒng)。GaNSense 還集成了自主待機功耗功能，可在 GaN IC 處于空閑模式時自動降低待機功耗，有助于進一步降低功耗，

憑借業(yè)界最嚴格的電流測量精度和 GaNFast 響應時間，與之前的同類最佳解決方案相比，GaNSense 技術意味著將危險的過電流尖峰減少 50%，并將“危險區(qū)域”的時間減少 50%。GaNFast 單片集成提供可靠、無干擾的操作，沒有“振鈴”，從而提高了系統(tǒng)可靠性。

“從檢測到保護僅需 30 ns，GaNSense 技術比分立 GaN 實現(xiàn)快 600%，”Navitas 首席運營官/首席技術官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Dan Kinzer 說�！癗avitas 的下一代提供了針對潛在系統(tǒng)故障模式的高度準確和有效的防御。再加上對高達 800V 瞬態(tài)電壓的抗擾性以及嚴格的柵極波形控制和電壓調節(jié)，這只有通過我們專有的工藝設計套件才能實現(xiàn)，并且您在功率半導體的可靠性、穩(wěn)健性和性能方面有了新的標準�！�

采用 GaNSense 技術的全新 GaN 功率 IC 系列涵蓋 10 款產(chǎn)品，它們都具有 GaN 功率、GaN 驅動、控制和保護的核心關鍵 GaNFast 集成。所有器件的額定電壓均為 650V/800V，具有 2kV ESD 保護，R DS(ON)范圍為 120 至 450 mOhms，采用 5×6 和 6×8 mm PQFN 封裝……具有 GaNSense 保護電路和無損電流感應。該第 3代 GaN IC 系列針對現(xiàn)代電源轉換拓撲進行了優(yōu)化，包括高頻準諧振 (HFQR) 反激式、有源鉗位反激式 (ACF) 和 PFC 升壓，這些技術很受歡迎，可提供最快、最高效和最小的移動和消費市場中的充電器和適配器。

目標市場包括智能手機和筆記本電腦的快速充電器，估計 GaN 潛力為每年 2B 美元，以及另一個每年 2B 美元的消費市場，包括一體機 PC、電視和家庭網(wǎng)絡和自動化。GaNSense 技術已用于聯(lián)想的YOGA 65W 筆記本電腦充電器。

迄今為止，已出貨超過 3000 萬個 GaNFast 功率 IC，在現(xiàn)場實現(xiàn)了超過 1160 億個器件小時 - 報告的 GaN 現(xiàn)場故障為零。與傳統(tǒng)硅芯片相比，出貨的每個 GaNFast 功率 IC 的碳足跡減少了 4-10 倍，并減少了 4 公斤的 CO 2 。

采用 GaNSense 技術的 GaNFast 功率 IC 將在以下活動中展示：

11 月 8 日：Navitas 首席運營官/首席技術官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Dan Kinzer 舉辦的 WiPDA 2021（虛擬）

11 月 11 日：CPSSC 2021（上海），應用領域高級總監(jiān)黃秀成博士

11 月 18 日：Dan Kinzer 的 PSMA 電源技術路線圖（虛擬版）

采用 GaNSense 技術的 GaNFast 功率 IC 已投入量產(chǎn)，Navitas代理商可立即供貨。新 GaNSense 技術的完整技術細節(jié)，包括數(shù)據(jù)表、資格數(shù)據(jù)、應用說明和樣品，可根據(jù) NDA 提供給客戶合作伙伴。