富士電機株式會社推出的“第2代分立式SiC-SBD※系列”功率半導體產品已開始上市發(fā)售,特此通知。該產品將有助于推動數(shù)據(jù)中心和通信基站等實現(xiàn)節(jié)電。
1.背景
隨著DX(數(shù)字化轉型)的啟動、遠程辦公的日益普及以及互聯(lián)網(wǎng)服務得到越來越廣泛的應用,網(wǎng)絡通信量與日俱增,數(shù)據(jù)中心和通信基站的設備投資加速。與此同時,電源設備的需求也在不斷増加,電源設備當前的市場規(guī)模約為3,000億日元,預計到2028年度將會增長至約4,500億日元※。
數(shù)據(jù)中心和通信基站的設備運轉需要大量的直流電力,因此電源設備中一般配備有功率半導體(二極管),以便將電力公司供應的交流電高效轉換(整流)為直流電。
功率半導體在通電時會產生電力損耗(恒定損耗)。此次,我們針對數(shù)據(jù)中心和通信基站等的電源設備,開發(fā)并推出了“第2代分立式SiC-SBD系列”產品,該產品可通過降低電路內的恒定損耗來幫助設備實現(xiàn)節(jié)電。
我們將面向全球推廣該產品,希望通過推進設備的節(jié)電為建設脫碳社會盡一份力。
2.產品特點
將電路板的厚度縮減至三分之一,實現(xiàn)低損耗
要想降低功率半導體的電力損耗,方法之一是將作為元件的電路板加工得更薄,以縮短電流的傳導距離。與本公司老款產品第1代SiC-SBD系列相比,本產品所配備的SiC(碳化硅)電路板的厚度已降至其三分之一左右,同時,通過調整芯片結構,使恒定損耗降低了16%※。我們運用公司特有的加工技術降低電路板厚度,從而打造出行業(yè)最高水平的薄度。此外,該產品還提高了對雷擊引起的大電流的抵抗能力。這些對于提高其搭載設備的節(jié)能以及可靠性將會起到推動作用。
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