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FUJI 富士IGBT
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IGBT模塊
富士電機開發(fā)了IGBT模塊作為電動機的可變速驅(qū)動裝置或不間斷電源裝置等的電力轉(zhuǎn)換器的開關(guān)元件,富士IGBT產(chǎn)品系列遍布中耐壓至高耐壓。
SiC器件、電源控制IC
FUJI公司的SiC器件具有出色的特性,能夠?qū)崿F(xiàn)高耐壓、低功耗、高頻和高溫動作。富士電機的電源控制IC在AC/DC、DC/DC中分別具有豐富的產(chǎn)品系列。
功率MOSFET、壓力傳感器
FUJI的功率MOSFET具有低損耗、低噪音、低通態(tài)電阻等特性,產(chǎn)品系列遍布中耐壓至高耐壓,F(xiàn)UJI的壓力傳感器將壓敏電阻、調(diào)節(jié)電路、EMC保護集合到同一芯片中。
關(guān)于FUJI Electric(富士IGBT)公司:
1959年4月7日,聚集在創(chuàng)業(yè)者周圍的14名志同道合的朋友用僅有的資金創(chuàng)立了FUJI(富士IGBT)。在此,它作為數(shù)控機床廠商發(fā)出了第一次吶喊。自主品牌1號機「FS型單功能機」不僅確立了Fuji富士標準,而且因其無以倫比的性能一舉成為行業(yè)寵兒。富士電機Fuji在電子元件領(lǐng)域最出名的是FUJI富士IGBT,F(xiàn)UJI公司第7代“X系列”通過薄化構(gòu)成本模塊的IGBT元件以及二極管元件的厚度,使其小型化,從而優(yōu)化元件結(jié)構(gòu)。因此,與以往產(chǎn)品相比,F(xiàn)UJI富士IGBT降低變換器運行時的電力損耗,有利于運載機器節(jié)能和削減電力成本...
近日,富士電機在2019年2季度決算說明會上首次提及功率半導(dǎo)體300mm晶圓的量產(chǎn)。此前,英飛凌已在德累斯頓工廠實現(xiàn)300mm功率半導(dǎo)體...
FUJI富士電機電子元件業(yè)務(wù)本部松本工廠技術(shù)統(tǒng)括部封裝技術(shù)部部長菊地昌宏,演講題目為“功率元件封裝的最新情況與封裝技術(shù)的課題...
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FUJI熱賣產(chǎn)品(2024/11/7更新)
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