據(jù)相關(guān)人士消息,ESMT公司將再建設(shè)包括DRAM總部研發(fā)中心在內(nèi)的DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠,據(jù)悉,DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠計(jì)劃于2019年底開(kāi)工建設(shè),預(yù)計(jì)2021年建成投產(chǎn)。
DRAM分為很多種,常見(jiàn)的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM 和WRAM。DRAM也叫動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間,所以需要定時(shí)刷新。由于DRAM的特性決定,DRAM能存儲(chǔ)電荷的時(shí)間非常短暫,這樣它需要在電荷消失之前進(jìn)行刷新,直到下次寫(xiě)入數(shù)據(jù)或者計(jì)算機(jī)斷電才停止。每次讀寫(xiě)操作都要刷新DRAM內(nèi)的電荷,因此DRAM設(shè)計(jì)為有規(guī)律的讀取其內(nèi)的內(nèi)容。
在全球的DRAM芯片市場(chǎng)上,韓國(guó)三星和海力士,美國(guó)的鎂光、英特爾、閃迪,日本的東芝六家廠商,壟斷了全球九成的產(chǎn)量。其中僅三星、海力士、東芝三家,就占了八成的份額。DRAM芯片作為存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的主力,近年來(lái),隨著存儲(chǔ)價(jià)格的走低,對(duì)整個(gè)市場(chǎng)影響很大,不管是上游制造商還是分銷商、客戶等,市場(chǎng)走低勢(shì)必影響投入,而ESMT公司本次的加大投入也預(yù)示著行業(yè)正在回暖,市場(chǎng)前景仍廣闊。
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