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圖片信息
TH58BYG2S3HBAI6圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：TH58BYG2S3HBAI6
  • 原始制造廠商：Kioxia，東芝半導體
  • 技術標準參數(shù)：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
  • 產(chǎn)品應用分類：存儲器
  • 點擊此處下載TH58BYG2S3HBAI6的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：TH58BYG2S3HBAI6
  • 制造商：Kioxia America, Inc.
  • 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
  • 產(chǎn)品系列：存儲器
  • 包裝：托盤
  • 系列：Benand?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • 存儲器類型：非易失
  • 存儲器格式：閃存
  • 技術：FLASH - NAND（SLC）
  • 存儲容量：4Gb（512M x 8）
  • 存儲器接口：并聯(lián)
  • 時鐘頻率：-
  • 寫周期時間-字，頁：25ns
  • 訪問時間：25ns
  • 電壓-供電：1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝：67-VFBGA
  • TH58BYG2S3HBAI6均從Kioxia代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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