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IXYS 屬于 Littelfuse Technology，現(xiàn)推出 N 溝道超結(jié) MOSFET，它具有出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(ON) 乘以 Qg），可以實現(xiàn)最低的傳導和開關損耗，從而在電力系統(tǒng)中獲得更高的功率密度和能源效率。最新的超結(jié) X3 級功率 MOSFET 具有顯著降低的通道電阻 RDS(ON) 和柵極電荷 Qg。與之前的 X2 級相比，該系列的品質(zhì)因數(shù) (FOM) 有了顯著降低，F(xiàn)OM 等于 RDS(ON) × Qg。這些優(yōu)勢使設計人員能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率和功率密度。該 HiPerFET™ 系列功率 MOSFET 采用體二極管，可提供低反向恢復電荷 (QRM) 和短反向恢復時間 (trr)。超結(jié)、X3 級 600 V MOSFETS 可用于下列應用，包括電信電源同步整流、電機控制、不間斷電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、太陽能逆變器和多電平逆變器。

資源

功率半導體產(chǎn)品目錄

工業(yè)電機驅(qū)動器和軟啟動器

智能 LED 照明

特性

低導通電阻 [RDS(ON)] 和低柵極電荷 (QG)

快速軟恢復體二極管

dv/dt 穩(wěn)健性

卓越的雪崩能力

國際標準封裝

應用

輕型電動汽車電池充電器

開關同步整流

電源

電機控制

DC-DC 轉(zhuǎn)換器

不間斷電源 (UPS)

電動叉車

D 類音頻放大器

電信系統(tǒng)