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領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商 UnitedSiC 推出了基于其先進(jìn)的第 4 代 SiC FET 技術(shù)平臺(tái)的首批四款器件。作為目前市場(chǎng)上第一個(gè)也是唯一一個(gè) 750V SiC FET，這些第 4 代器件基于領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù) (FoM) 實(shí)現(xiàn)了新的性能水平，有利于汽車、工業(yè)充電、電信整流器、數(shù)據(jù)中心 PFC 和DC-DC轉(zhuǎn)換以及可再生能源和儲(chǔ)能。

這些新的 SiC FET 提供 18 和 60 mohm 選項(xiàng)，可提供無(wú)與倫比的 FoM，每單位面積的導(dǎo)通電阻降低，并且固有電容低。在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，第 4 代 FET 表現(xiàn)出最低的 RDS(on) x EOSS (mohm-uJ)，從而降低了開(kāi)啟和關(guān)閉損耗。在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，它們的低 RDS(on) x Coss(tr) (mohm-nF) 規(guī)格可提供更低的傳導(dǎo)損耗和更高的頻率。這些器件不僅在低溫 (25C) 或高溫 (125C) 運(yùn)行時(shí)都超越了現(xiàn)有的競(jìng)爭(zhēng)性 SiC MOSFET 性能，而且還提供最低的積分二極管 V F和出色的反向恢復(fù)，從而降低死區(qū)時(shí)間損耗并提高效率。

在將 UnitedSiC 的產(chǎn)品擴(kuò)展到 750V 的過(guò)程中，新器件為設(shè)計(jì)人員提供了更多空間并減少了設(shè)計(jì)限制。這種更高的 VDS 額定值也使這些 FET 有利于 400/500V 總線電壓應(yīng)用。憑借 +/-20V、5V Vth 的廣泛兼容柵極驅(qū)動(dòng)，所有器件都可以在 0 至 +12V 柵極電壓下驅(qū)動(dòng)。這意味著它們可以與現(xiàn)有的 SiC MOSFET、Si IGBT 和 Si MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器配合使用。

正如 UnitedSiC 工程副總裁 Anup Bhalla 所解釋的那樣：“這些設(shè)備有助于解決工程師在電壓和功率需求最高的領(lǐng)域工作所面臨的挑戰(zhàn)——從 DC-DC 轉(zhuǎn)換和車載充電到功率因數(shù)校正和太陽(yáng)能逆變器。

“我們將在未來(lái) 9 個(gè)月內(nèi)發(fā)布許多新的第 4 代設(shè)備，這將進(jìn)一步提高成本效益、熱效率和設(shè)計(jì)空間。這將支持所有部門克服大規(guī)模采用的挑戰(zhàn)并加速創(chuàng)新�！�

新型 750V 第 4 代 SiC FET 的價(jià)格（1000 片以上，美國(guó)離岸價(jià)）從 UJ4C075060K3S 的 3.57 美元到 UJ4C075018K4S 的 7.20 美元不等。所有設(shè)備均可從授權(quán)UnitedSiC代理商處獲得。

四種 SiC FET 器件如下：

UJ4C075018K3S 18mohm TO247-3L

UJ4C075018K4S 18mohm TO247-4L

UJ4C075060K3S 60毫歐 TO247-3L

UJ4C075060K4S 60毫歐 TO247-4L