意法半導(dǎo)體推出400萬次擦寫操作的EEPROM
意法半導(dǎo)體推出最新EEPROM系列產(chǎn)品。新產(chǎn)品保證400萬次擦寫操作，而競爭產(chǎn)品只提供100萬次擦寫操作。意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品支持更高的存儲數(shù)據(jù)更新頻率，延長系統(tǒng)在高溫條件下的壽命，為設(shè)計人員帶來了更大的設(shè)計自由空間。
EEPROM提高耐寫性能的關(guān)鍵技術(shù)是意法半導(dǎo)體先進的CMOSF8H 0.15 洀制程。此次推出的新產(chǎn)品包括工業(yè)級和汽車級EEPROM，在25°C條件下，耐寫性能為每字節(jié)400萬次;在150°C條件下，耐寫性能為每字節(jié)40萬次�？偰蛯懶阅転�10億次，數(shù)據(jù)保存期限為200年(55°C)。
增強的耐寫性能和延長的數(shù)據(jù)保存期限有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計，可保存需要經(jīng)常更新的數(shù)據(jù)以及變化較慢的參數(shù)，避免使用為延長標(biāo)準(zhǔn)EEPROM壽命而耗費存儲容量的解決方案。此外，總耐寫性能使其可用于汽車或醫(yī)療等因為環(huán)境條件變化而需要經(jīng)常更新重要參數(shù)的應(yīng)用(數(shù)據(jù)記錄)。
樣片現(xiàn)已上市，意法半導(dǎo)體開始接受量產(chǎn)訂單。
EEPROM提高耐寫性能的關(guān)鍵技術(shù)是意法半導(dǎo)體先進的CMOSF8H 0.15 洀制程。此次推出的新產(chǎn)品包括工業(yè)級和汽車級EEPROM，在25°C條件下，耐寫性能為每字節(jié)400萬次;在150°C條件下，耐寫性能為每字節(jié)40萬次�？偰蛯懶阅転�10億次，數(shù)據(jù)保存期限為200年(55°C)。
增強的耐寫性能和延長的數(shù)據(jù)保存期限有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計，可保存需要經(jīng)常更新的數(shù)據(jù)以及變化較慢的參數(shù)，避免使用為延長標(biāo)準(zhǔn)EEPROM壽命而耗費存儲容量的解決方案。此外，總耐寫性能使其可用于汽車或醫(yī)療等因為環(huán)境條件變化而需要經(jīng)常更新重要參數(shù)的應(yīng)用(數(shù)據(jù)記錄)。
樣片現(xiàn)已上市，意法半導(dǎo)體開始接受量產(chǎn)訂單。
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更多IC電子元器件制造商行業(yè)動態(tài)（2024年11月7日更新）
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