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氮化鎵 (GaN) 功率集成電路 (IC) 的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 Navitas Semiconductor 宣布，大功率 GaN 功率 IC 樣品現(xiàn)已可用于首批全球數(shù)據(jù)中心、太陽能和電動汽車 (EV) 客戶的時間。

Navitas GaNFast™ IC 于三年前首次向移動客戶推出，并已成為這些市場的主流顛覆性力量，為具有超輕量和小型化外形的移動設(shè)備提供前所未有的高效和超快速充電�，F(xiàn)在，這種突破性的 GaN 功率 IC 技術(shù)——唯一一個單片集成驅(qū)動、控制、保護(hù)和電源的 GaN 半導(dǎo)體平臺——首次可用于在 2kW 至 20kW 功率范圍內(nèi)運行的應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心、太陽能逆變器和電動汽車電力電子。這一發(fā)展是從傳統(tǒng)硅升級到下一代 GaN 半導(dǎo)體到“電氣化我們的世界”以及從化石燃料過渡到清潔電力應(yīng)用的基礎(chǔ)，并影響高達(dá) 2.6 噸/年的二氧化碳2到 2050 年的排放量。

GaN 是下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運行速度比傳統(tǒng)硅快 20 倍，功率增加 3 倍，節(jié)能 40%，充電速度提高 3 倍，而尺寸和重量減半。Navitas 的 GaNFast™ 電源 IC 集成了 GaN 電源和驅(qū)動以及保護(hù)和控制，以提供簡單、小巧、快速和高效的性能。新產(chǎn)品針對每個大功率市場進(jìn)行了優(yōu)化，具有特性、功能和功率升級，成為真正的 GaNFast 專用集成電路。

“Navitas Engineering 團(tuán)隊再次按時交付了高性能 GaN 功率 IC，推動了我們的市場擴(kuò)張，”聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Gene Sheridan 說�！斑@是我們在向投資者的財務(wù)路線圖中概述的道路上的又一成功步驟，從我們在 20W 到 300W 移動快速充電器市場的排名第一的位置擴(kuò)展到高功率 2kW 到 20kW 以上的應(yīng)用�！�

新產(chǎn)品是經(jīng)過驗證的 650/800V GaNFast 平臺的功率升級、熱增強(qiáng)版本，出貨量超過 3000 萬臺，報告的現(xiàn)場故障為零。Navitas 獨特的專有 GaNFast 集成技術(shù)具有內(nèi)置、快速和準(zhǔn)確的過溫、過流和 ESD 保護(hù)。

大功率客戶對 GaN 和 Navitas 的集成方法給予了響亮的認(rèn)可，包括：

數(shù)據(jù)中心的Compuware：“GaN 是一項突破性的新技術(shù)。Navitas [是] 優(yōu)秀的合作伙伴，擁有行業(yè)領(lǐng)先的 GaN IC�！� Navitas 最近宣布在杭州建立一個專門的數(shù)據(jù)中心設(shè)計中心，并估計與典型的傳統(tǒng)硅解決方案相比，將數(shù)據(jù)中心從硅升級到 GaN 將節(jié)省高達(dá) 40% 的能源，并為行業(yè)節(jié)省高達(dá) 1.9B 美元/年的電力成本。

太陽能中的Enphase Energy：“這是硅之路的盡頭。GaN 提供 >10 倍的頻率和顯著的成本優(yōu)勢。” Navitas 估計，GaN 功率 IC 可使微型逆變器的成本降低 25%，節(jié)能高達(dá) 40%，與硅相比，安裝成本回報率提高了 10% 以上。

EV 中的Brusa：“Navitas 的優(yōu)勢在于駕駛簡單、高速、可靠性和緊湊的外形尺寸�！� Navitas 估計，GaNFast 產(chǎn)品可提供 3 倍的充電速度和 70% 的節(jié)能，從而使續(xù)航里程延長 5% 或電池成本降低 5%。采用 GaN 可以將全球電動汽車的采用速度最多加快 3 年，到 2050年將道路部門的 CO 2排放量減少 20%。

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