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Navitas 宣布通過開設(shè)新的設(shè)計(jì)中心進(jìn)軍更高功率市場致力于帶來下一代 GaN 功率 IC 和相關(guān)的高效、高功率密度系統(tǒng)，使世界各地的數(shù)據(jù)中心能夠從硅升級到 GaN，從而顯著提高節(jié)能效果，降低電力成本并減少 CO 2排放。

氮化鎵 (GaN) 器件是功率半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅芯片快 20 倍。Navitas 的 GaNFast™ 電源 IC 集成了 GaN 電源、GaN 驅(qū)動(dòng)、保護(hù)和控制。高速和高效率轉(zhuǎn)化為節(jié)能、高功率密度、低成本和更高可靠性方面的新行業(yè)基準(zhǔn)。

新的設(shè)計(jì)中心位于中國杭州，擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的世界級電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)師團(tuán)隊(duì)，他們在電氣、熱力和機(jī)械設(shè)計(jì)、軟件開發(fā)以及完整的仿真和原型設(shè)計(jì)能力方面具有全面的能力。新團(tuán)隊(duì)將在全球范圍內(nèi)為數(shù)據(jù)中心電力客戶提供支持，從概念到原型，再到全面認(rèn)證和大規(guī)模生產(chǎn)。

設(shè)計(jì)中心將為全功能、可生產(chǎn)的數(shù)據(jù)中心電源開發(fā)原理圖、布局和固件。最高功率密度和最高效率的創(chuàng)新解決方案將 GaN 的價(jià)值帶入主流數(shù)據(jù)中心。此外，還將為磁性材料、熱基板和其他材料建立多個(gè)合作伙伴關(guān)系，以幫助客戶優(yōu)化其電源設(shè)計(jì)。

Navitas 估計(jì)，從傳統(tǒng)硅升級到新的 GaN 可以節(jié)省高達(dá) 40% 的能源，并在全球范圍內(nèi)每年節(jié)省 1.9B 美元的數(shù)據(jù)中心電力成本。數(shù)據(jù)中心電源符合嚴(yán)格的效率標(biāo)準(zhǔn)，極端“鈦”級要求在 50% 負(fù)載下達(dá)到 96% 的效率。這些新基準(zhǔn)不僅由 GaN 技術(shù)實(shí)現(xiàn)，而且還受到法規(guī)的要求，例如歐盟的“指令 2009/125/EC，2019 附件”，該指令規(guī)定數(shù)據(jù)新中心電源必須從 1 月 1 日起達(dá)到“鈦”級效率圣, 2023.

“納微數(shù)據(jù)中心團(tuán)隊(duì)擁有 GaN 功率 IC 的新技術(shù)技能，以及真正的電源設(shè)計(jì)和認(rèn)證經(jīng)驗(yàn)，”納微中國副總裁兼總經(jīng)理 Charles ZHA 說�！暗谝粋�(gè)證明點(diǎn)是 1.2kW 的‘Titanium plus’設(shè)計(jì)，它不僅超過了數(shù)據(jù)中心電源的最高效率標(biāo)準(zhǔn)，而且經(jīng)過價(jià)值工程設(shè)計(jì)，成本低于傳統(tǒng)硅設(shè)計(jì)。在此之后，它會(huì)出現(xiàn)在 2.2kW 和 3kW 平臺(tái)上�！�

1.2kW的設(shè)計(jì)是與億陽和杭州FRD合作開發(fā)的，目前正在評估2022年量產(chǎn)。斷電構(gòu)建模塊加快了原型制作和首次正確設(shè)計(jì)的時(shí)間�！� FRD 電源事業(yè)部總經(jīng)理 Ray GU 表示：“GaNFast 電源 IC 對于實(shí)現(xiàn) Titanium Plus 效率至關(guān)重要，這是下一代數(shù)據(jù)中心電源的關(guān)鍵里程碑。這將有助于 FRD 加強(qiáng)其產(chǎn)品組合并為企業(yè)客戶提供全面的解決方案�！�

“隨著數(shù)據(jù)和通信繼續(xù)呈指數(shù)級增長，數(shù)據(jù)中心升級到 GaNFast 電源 IC 以降低成本、最大限度地節(jié)省能源并減少 CO 2排放至關(guān)重要，”聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Gene SHERIDAN 說�！白鳛橐粋�(gè)關(guān)鍵的擴(kuò)張市場，我們在最近的 IPO 資金之前就進(jìn)行了招募，而對我們數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的信任已經(jīng)帶來了回報(bào)。通過與世界各地的數(shù)據(jù)中心工程師合作，我們可以加速采用基于 GaN 的數(shù)據(jù)中心，并對節(jié)能、電力成本和 CO 2排放產(chǎn)生重大影響。”

制造 GaN 功率 IC 的 CO 2足跡比硅芯片低 10 倍，考慮到用例效率、材料尺寸和重量優(yōu)勢，每個(gè)出貨的 GaN 功率 IC 可以節(jié)省 4 kg CO 2�？傮w而言，到2050年，GaN 有望實(shí)現(xiàn)每年減少 2.6 Gton 的 CO 2排放量。

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