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美光科技(Micron)推出第三代低延時DRAM
美光科技(Micron Technology, Inc)近日推出了第三代低延時DRAM (RLDRAM○R 3內(nèi)存)—一種高帶寬內(nèi)存技術(shù),能更有效的傳輸網(wǎng)絡(luò)信息。視頻內(nèi)容、移動應(yīng)用和云計(jì)算的蓬勃發(fā)展,對網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施提出了更高效的要求,以便在線傳輸大量數(shù)據(jù)。與前幾代產(chǎn)品相比,美光新的RLDRAM 3內(nèi)存進(jìn)一步提高了存儲密度和速度,同時最大限度地減少了延遲,降低了功耗,在網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中性能更好。
美光的DRAM營銷副總裁Robert Feurle說:“隨著互聯(lián)網(wǎng)內(nèi)容消費(fèi)的不斷增長,人們?nèi)找嫘枰幸环N能支持網(wǎng)絡(luò)流量增長的技術(shù),美光的RLDRAM 3內(nèi)存滿足了這種需求”。
對于現(xiàn)有的RLDRAM 2,美光將繼續(xù)提供最高水平的技術(shù)支持,并計(jì)劃長期生產(chǎn)該產(chǎn)品。此外,美光正將其RLDRAM 2產(chǎn)品組合轉(zhuǎn)入更先進(jìn)的50nm工藝,提高系統(tǒng)性能,降低功耗。
RLDRAM 3內(nèi)存產(chǎn)品特點(diǎn)
美光新的RLDRAM 3內(nèi)存的主要特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)有:
低延時:tRC不足10納秒,是業(yè)界最低的隨機(jī)存取延時
高密度:576Mb-1Gb,靈活性高,可用于多種設(shè)計(jì)
高速率:達(dá)2133Mb/s,數(shù)據(jù)存取速度更快
高能效:1.2V IO和1.35V內(nèi)核電壓,更省電
構(gòu)建RLDRAM 合作伙伴網(wǎng)絡(luò)
美光維持著龐大的合作伙伴網(wǎng)絡(luò),使其RLDRAM存儲解決方案能更方便地與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備集成。美光與其合作伙伴展開了廣泛合作,為客戶提供量身定制的解決方案,優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)性能。作為這個價值生態(tài)系統(tǒng)的一部分,美光目前合作的領(lǐng)先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx,RLDRAM 3內(nèi)存可集成到其產(chǎn)品系列中。
Altera組件產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)Luanne Schirrmeister說:“Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的硬化數(shù)據(jù)通路,針對美光內(nèi)存設(shè)有高性能、低延遲接口。RLDRAM 3內(nèi)存的發(fā)布讓我們的內(nèi)存帶寬可高達(dá)1600 Mbps,為行業(yè)內(nèi)最高速度,大幅降低了延時。美光新的存儲產(chǎn)品搭配Altera新的內(nèi)存接口架構(gòu)是一項(xiàng)重要技術(shù)成果,是我們與美光多年技術(shù)合作的一項(xiàng)巔峰之作。”
Xilinx應(yīng)用和技術(shù)營銷資深總監(jiān)Rina Raman說:“Xilinx 7系列FPGA應(yīng)用于最高級的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,用于滿足全世界對帶寬無止盡的需求。我們與美光合作,支持其新的RLDRAM 3技術(shù),讓我們的客戶能夠開發(fā)網(wǎng)絡(luò)平臺,來滿足最嚴(yán)格的基礎(chǔ)設(shè)施需求!
產(chǎn)品可用性
美光預(yù)計(jì)將在2011年上半年開始對其RLDRAM 3進(jìn)行抽樣,目前正與客戶合作,征求其對RLDRAM 3內(nèi)存設(shè)計(jì)的意見。此外,美光預(yù)計(jì)將在2010年第四季度開始對其50nm RLDRAM 2產(chǎn)品進(jìn)行抽樣。
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更多IC電子元器件制造商行業(yè)動態(tài)(2024年11月7日更新)
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