Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上的產品更加豐富。
在產品LSIC1MO170E1000中已經(jīng)將該公司早前已發(fā)布的1200V SiC MOSFET和肖特基二極管運用到其中。Littelfuse公司表示,最終用戶將由此獲得更緊湊,更節(jié)能的系統(tǒng)并且將會降低使用的總體成本。
Littelfuse還表示,采用SiC MOSFET技術的高效率的特點為許多要求苛刻的應用(電動和混合動力汽車(EV / HEV),數(shù)據(jù)中心和輔助電源)提供了多種優(yōu)勢。與類似額定硅絕緣柵雙極晶體管(IGBT)相比,LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET 可實現(xiàn)系統(tǒng)級優(yōu)化,包括提高效率,增加功率密度,降低冷卻要求以及可能降低系統(tǒng)級成本。
據(jù)稱,與市場上其他業(yè)界領先的SiC MOSFET器件相比,該SiC MOSFET在所有方面都具有更好的性能。LSIC1MO170E1000的典型應用包括:太陽能逆變器; 開關電源(SMPS)和不間斷電源(UPS); 電機驅動; 高壓DC / DC轉換器; 和感應加熱。
“該產品可以改善現(xiàn)有應用,Littelfuse所開發(fā)應用可支持網(wǎng)絡,這可以在新的設計項目上有所幫助,”Littelfuse半導體業(yè)務部門Power Semiconductors全球產品營銷經(jīng)理Michael Ketterer說!癝iC MOSFET為傳統(tǒng)的硅基功率晶體管器件提供了更優(yōu)的替代方案。與類似額定值的IGBT相比,MOSFET器件結構可實現(xiàn)更低的周期開關損耗和更高的輕載效率,“他補充道!肮逃械牟牧咸匦栽试SSiC MOSFET在阻斷電壓、特定導通電阻和結電容方面超過其Si MOSFET對應物!
新型1700V,1ΩSiCMOSFET具有以下優(yōu)點:
1、針對高頻,高效應用進行了優(yōu)化;
2、極低的柵極電荷和輸出電容;
3、用于高頻開關的低柵極電阻。
LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET采用TO-247-3L封裝,管材數(shù)量為450。樣品要求可通過全球授權的Littelfuse經(jīng)銷商提供。
Littelfuse公司
力特公司位于美國伊利諾伊州芝加哥市,主要為客戶提供電路保護技術支持。包括保險絲,半導體,聚合物,陶瓷,繼電器和傳感器等。
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