在 Insignis,我們的開發(fā)團(tuán)隊(duì)專注于最大限度地降低功耗,以最大限度地提高可靠性和系統(tǒng)性能。
Insignis在成熟的工藝節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn),以利用:
其晶體管固有的穩(wěn)定 IDS 特性
較低的溫度敏感性
較新的工藝節(jié)點(diǎn)需要更復(fù)雜的片上電壓調(diào)節(jié),以實(shí)現(xiàn)更嚴(yán)格的容差和更低的電壓。更嚴(yán)格的公差解決方案具有較低的轉(zhuǎn)換效率。
Insignis DRAM 經(jīng)過優(yōu)化,可提供最可靠的產(chǎn)品和最長(zhǎng)的生產(chǎn)壽命。一旦您選擇了 Insignis,您將永遠(yuǎn)不需要對(duì)高風(fēng)險(xiǎn)工藝技術(shù)的后續(xù)模具收縮進(jìn)行重新認(rèn)證。
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