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GeneSiC發(fā)布第 5 代 SiC 肖特基 MPS (合并-PiN-肖特基)

GeneSiC半導體, 碳化硅的先驅(qū)和全球供應(yīng)商 (碳化硅) 功率半導體器件, 宣布第 5 代的可用性 (GE***系列) SiC 肖特基 MPS™ 整流器以其卓越的性價比指標樹立了新的標桿, 行業(yè)領(lǐng)先的浪涌電流和雪崩穩(wěn)定性, 和高品質(zhì)的制造.

“GeneSiC 是最早在美國商業(yè)化供應(yīng) SiC 肖特基整流器的 SiC 制造商之一。 2011. 經(jīng)過十多年為業(yè)界提供高性能、高品質(zhì)的碳化硅整流器, 我們很高興發(fā)布我們的第 5 代 SiC 肖特基 MPS™ (合并-PiN-肖特基) 在各個方面提供行業(yè)領(lǐng)先性能的二極管，以滿足服務(wù)器/電信電源和電池充電器等應(yīng)用中的高效率和功率密度目標. 使我們的第 5 代產(chǎn)品的革命性功能 (GE***系列) SiC 肖特基 MPS™ 二極管在同類產(chǎn)品中脫穎而出的是低內(nèi)置電壓 (也稱為拐點電壓);它可以在所有負載條件下實現(xiàn)最低的二極管傳導損耗 - 對于需要高效能源使用的應(yīng)用至關(guān)重要. 與其他競爭對手的 SiC 二極管相比，同樣設(shè)計用于提供低拐點特性, 我們的 Gen5 二極管設(shè)計的另一個特點是它們?nèi)匀槐３指咚降难┍?(UIL) 我們的客戶對 GeneSiC 的 Gen3 所期望的堅固性 (GC***系列) 和 Gen4 (GD***系列) SiC肖特基MPS™” 博士說. 西達斯·孫達雷森, GeneSiC半導體技術(shù)副總裁.

特征 –

低內(nèi)置電壓 – 所有負載條件下的最低傳導損耗

優(yōu)異的功績 – 質(zhì)量控制 x VF

最佳性價比

增強的浪涌電流能力

100% 雪崩 (UIL) 已測試

低熱阻適用于較冷的操作

零正向和反向恢復

溫度無關(guān)的快速開關(guān)

VF 的正溫度系數(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域 –

功率因數(shù)校正中的升壓二極管 (全氟化合物)