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圖片信息
WNSC04650T6J圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:WNSC04650T6J
  • 原始制造廠商:WeEn,瑞能半導體
  • 技術標準參數(shù):SILICON CARBIDE POWER DIODE
  • 產品應用分類:二極管 - 整流器 - 單
  • 點擊此處下載WNSC04650T6J的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產品型號:WNSC04650T6J
  • 制造商:WeEn Semiconductors
  • 描述:SILICON CARBIDE POWER DIODE
  • 系列:二極管 - 整流器 - 單
  • 產品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • 二極管類型:碳化硅肖特基
  • 電壓-DC反向(Vr)(最大值):650V
  • 電流-平均整流(Io):4A
  • 不同If時電壓-正向(Vf):1.7V @ 4A
  • 速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
  • 反向恢復時間(trr):0ns
  • 不同Vr時電流-反向泄漏:25μA @ 650V
  • 不同?Vr、F時電容:141pF @ 1V,1MHz
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:4-VDFN
  • 供應商器件封裝:5-DFN(8x8)
  • WNSC04650T6J均從WeEn代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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