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圖片信息
SQJ456EP-T1-GE3圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:SQJ456EP-T1-GE3
  • 原始制造廠商:Vishay,威世
  • 技術標準參數(shù):MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
  • 產(chǎn)品應用分類:單端場效應管
  • 點擊此處下載SQJ456EP-T1-GE3的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • Vishay威世半導體原廠型號:SQJ456EP-T1-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
  • 系列:TrenchFET
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標準
  • 漏源極電壓 (Vdss):100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):32A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):26 毫歐 @ 9.3A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):63nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3342pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:83W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:PowerPAK SO-8
  • 供應商器件封裝:PowerPAK SO-8
  • SQJ456EP-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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