深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供SQJ412EP-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

SQJ412EP-T1-GE3 - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Vishay代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：SQJ412EP-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

產(chǎn)品應(yīng)用分類：?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào)：SQJ412EP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：32A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：4.1 毫歐 @ 10.3A, 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：120nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：5950pF @ 20V

功率 - 最大值：83W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SO-8

供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK SO-8

SQJ412EP-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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