深圳市南皇電子有限公司長期提供SISS63DN-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
技術參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：SISS63DN-T1-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen III零件狀態(tài)：有源FET類型：P 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：20V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：35.1A（Ta），127.5A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2.7 毫歐 @ 15A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：236nC @ 8VVgs（最大值）：±12V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：7080pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：5W（Ta），65.8W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PowerPAK? 1212-8SSISS63DN-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
