深圳市南皇電子有限公司長期提供SIHB35N60E-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：SIHB35N60E-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：32A（Tc）驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：94 毫歐 @ 17A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：132nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2760pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：250W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：D2PAK（TO-263）SIHB35N60E-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
