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圖片信息
SI7956DP-T1-GE3圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：SI7956DP-T1-GE3
  • 原始制造廠商：Vishay，威世
  • 技術標準參數(shù)：MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
  • 產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載SI7956DP-T1-GE3的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：SI7956DP-T1-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列：TrenchFET?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：2 N-通道（雙）
  • FET功能：邏輯電平門
  • 漏源電壓（Vdss）：150V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：2.6A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：105 毫歐 @ 4.1A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：26nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
  • 功率-最大值：1.4W
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：PowerPAK? SO-8 雙
  • SI7956DP-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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