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圖片信息
SI7457DP-T1-GE3圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：SI7457DP-T1-GE3
  • 原始制造廠商：Vishay，威世
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載SI7457DP-T1-GE3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SI7457DP-T1-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列：TrenchFET?
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類型：P 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：100V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：28A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：42 毫歐 @ 7.9A，10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：160nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：5230pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：5.2W（Ta），83.3W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：PowerPAK? SO-8
  • SI7457DP-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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