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圖片信息
TW070J120B,S1Q圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:TW070J120B,S1Q
  • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
  • 技術標準參數(shù):SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
  • 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載TW070J120B,S1Q的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產品型號:TW070J120B,S1Q
  • 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:*
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:SiCFET(碳化硅)
  • 漏源電壓(Vdss):1200V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):36A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):20V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):90 毫歐 @ 18A,20V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5.8V @ 20mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):67nC @ 20V
  • Vgs(最大值):±25V,-10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1680pF @ 800V
  • FET功能:標準
  • 功率耗散(最大值):272W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:TO-3P(N)
  • TW070J120B,S1Q均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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