深圳市南皇電子有限公司長期提供TPN1110ENH,L1Q（品牌: Toshiba）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
技術參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：TPN1110ENH,L1Q制造商：Toshiba Semiconductor and Storage描述：MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：U-MOSVIII-H零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：200V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：7.2A（Ta）驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：114 毫歐 @ 3.6A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：7nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：600pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：700mW（Ta），39W（Tc）工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：8-TSON Advance（3.3x3.3）TPN1110ENH,L1Q均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
