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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：TPCF8B01(TE85L,F,M

原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體

技術標準參數：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：TPCF8B01(TE85L,F,M

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：U-MOSIII

零件狀態(tài)：停產

FET類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：2.7A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：110 毫歐 @ 1.4A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 5V

Vgs（最大值）：±8V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：470pF @ 10V

FET功能：肖特基二極管（隔離式）

功率耗散（最大值）：330mW（Ta）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：VS-8（2.9x1.5）

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