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圖片信息
TPC8117(TE12L,Q)圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：TPC8117(TE12L,Q)
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管
  • 點擊此處下載TPC8117(TE12L,Q)的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 東芝半導(dǎo)體公司完整型號：TPC8117(TE12L,Q)
  • 制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
  • 系列：-
  • FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：18A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.9 毫歐 @ 9A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：130nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4600pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：-
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
  • 供應(yīng)商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）
  • TPC8117(TE12L,Q)均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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