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圖片信息
RN1903FE(TE85L,F)圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：RN1903FE(TE85L,F)
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：陣列﹐預(yù)偏壓式晶體管
  • 點(diǎn)擊此處下載RN1903FE(TE85L,F)的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：RN1903FE(TE85L,F)
  • 制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
  • 系列：-
  • 晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
  • 電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：22k
  • 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)：22k
  • 不同 Ic、Vce 時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 10mA，5V
  • 不同 Ib、Ic 時(shí)的 Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
  • 電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
  • 頻率 - 躍遷：250MHz
  • 功率 - 最大值：100mW
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
  • 供應(yīng)商器件封裝：ES6
  • RN1903FE(TE85L,F)均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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