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圖片信息
HN1C01FU-Y,LF圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：HN1C01FU-Y,LF
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標準參數(shù)：NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列
  • 點擊此處下載HN1C01FU-Y,LF的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：HN1C01FU-Y,LF
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
  • 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列
  • 零件狀態(tài)：有源
  • 晶體管類型：2 NPN（雙）
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：150mA
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
  • 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA
  • 電流-集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
  • 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：120 @ 2mA，6V
  • 功率-最大值：200mW
  • 頻率-躍遷：80MHz
  • 工作溫度：125°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • HN1C01FU-Y,LF均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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