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圖片信息
GT60N321(Q)圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：GT60N321(Q)
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載GT60N321(Q)的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：GT60N321(Q)
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • IGBT類型：-
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：1000V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：120A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，60A
  • 功率-最大值：170W
  • 開關(guān)能量：-
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：-
  • 25°C時Td（開/關(guān)）值：330ns/700ns
  • 測試條件：-
  • 反向恢復(fù)時間(trr)：2.5μs
  • 工作溫度：150°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-3PL
  • GT60N321(Q)均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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