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圖片信息
STGW30H60DLFB圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:STGW30H60DLFB
  • 原始制造廠商:ST,意法半導體
  • 技術(shù)標準參數(shù):IGBT HB 600V 30A HS TO247
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載STGW30H60DLFB的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:STGW30H60DLFB
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT HB 600V 30A HS TO247
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):60A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):120A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
  • 功率-最大值:260W
  • 開關能量:293μJ(關)
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:149nC
  • 25°C時Td(開/關)值:-/146ns
  • 測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-247-3
  • STGW30H60DLFB均從ST代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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