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圖片信息
STGD3NC120H-1圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:STGD3NC120H-1
  • 原始制造廠商:ST,意法半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 1200V 16A IPAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載STGD3NC120H-1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:STGD3NC120H-1
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 1200V 16A IPAK
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):16A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):20A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,3A
  • 功率-最大值:105W
  • 開關(guān)能量:236μJ(開),290μJ(關(guān))
  • 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷:24nC
  • 25°C時(shí)Td(開/關(guān))值:15ns/118ns
  • 測試條件:800V,3A,10 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
  • STGD3NC120H-1均從ST代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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