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圖片信息
NP82N04MDG-S18-AY圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:NP82N04MDG-S18-AY
  • 原始制造廠商:Renesas,瑞薩電子
  • 技術標準參數(shù):MOSFET N-CH TO-220
  • 產(chǎn)品應用分類:單端場效應管
  • 點擊此處下載NP82N04MDG-S18-AY的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • Renesas瑞薩完整型號:NP82N04MDG-S18-AY
  • 制造廠家名稱:Renesas Electronics America
  • 描述:MOSFET N-CH TO-220
  • 系列:-
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):82A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 41A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):150nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):9000pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1.8W
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝/外殼:TO-220-3
  • 供應商器件封裝:TO-220-3
  • NP82N04MDG-S18-AY均從Renesas代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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