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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供SH8M24GZETB（品牌: ROHM）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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圖片信息
SH8M24GZETB圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：SH8M24GZETB
  • 原始制造廠商：ROHM，羅姆
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. COMPLEX
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載SH8M24GZETB的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SH8M24GZETB
  • 制造商：Rohm Semiconductor
  • 描述：4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. COMPLEX
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：N 和 P 溝道
  • FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓（Vdss）：45V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：6A（Ta）
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：46 毫歐 @ 4.5A，10V，63 毫歐 @ 3.5A，10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：9.6nC，18.2nC @ 5V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：550pF，1700pF @ 10V
  • 功率-最大值：1.4W（Ta）
  • 工作溫度：150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
  • SH8M24GZETB均從ROHM代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    ROHM產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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