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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供RGT30NS65DGTL（品牌: ROHM）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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圖片信息
RGT30NS65DGTL圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：RGT30NS65DGTL
  • 原始制造廠商：ROHM，羅姆
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 650V 30A 133W TO-263S
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載RGT30NS65DGTL的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：RGT30NS65DGTL
  • 制造商：Rohm Semiconductor
  • 描述：IGBT 650V 30A 133W TO-263S
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：有源
  • IGBT類型：溝槽型場(chǎng)截止
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：30A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：45A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，15A
  • 功率-最大值：133W
  • 開(kāi)關(guān)能量：-
  • 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷：32nC
  • 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：18ns/64ns
  • 測(cè)試條件：400V，15A，10 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：55ns
  • 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
  • RGT30NS65DGTL均從ROHM代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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