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圖片信息
NSVMUN5212DW1T1G圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：NSVMUN5212DW1T1G
  • 原始制造廠商：ON，ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置
  • 點(diǎn)擊此處下載NSVMUN5212DW1T1G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NSVMUN5212DW1T1G
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
  • 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置
  • 零件狀態(tài)：有源
  • 晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
  • 電阻器-基極(R1)：22 千歐
  • 電阻器-發(fā)射極(R2)：22 千歐
  • 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)（最小值）：60 @ 5mA，10V
  • 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
  • 電流-集電極截止（最大值）：500nA
  • 頻率-躍遷：-
  • 功率-最大值：250mW
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • NSVMUN5212DW1T1G均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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