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圖片信息
NGTB05N60R2DT4G圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:NGTB05N60R2DT4G
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
  • 技術標準參數(shù):IGBT 5A 600V DPAK
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載NGTB05N60R2DT4G的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:NGTB05N60R2DT4G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT 5A 600V DPAK
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:*
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):-
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):-
  • 電流-集電極脈沖(Icm):-
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):-
  • 功率-最大值:-
  • 開關能量:-
  • 輸入類型:-
  • 柵極電荷:-
  • 25°C時Td(開/關)值:-
  • 測試條件:-
  • 反向恢復時間(trr):-
  • 工作溫度:-
  • 安裝類型:-
  • 封裝:-
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