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圖片信息
NGD8201BNT4G圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:NGD8201BNT4G
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 400V 20A 125W DPAK-3
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:IGBT - 單路
  • 點擊此處下載NGD8201BNT4G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • ON安森美半導(dǎo)體完整型號: NGD8201BNT4G
  • 制造廠家名稱: ON Semiconductor
  • 功能總體簡述: IGBT 400V 20A 125W DPAK-3
  • 系列: -
  • IGBT 類型: -
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值): 430V
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值): 15A
  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm): 50A
  • 不同 Vge,Ic 時的 Vce(on): 1.8V @ 4.5V,10A
  • 功率 - 最大值: 115W
  • 開關(guān)能量: -
  • 輸入類型: 邏輯
  • 柵極電荷: -
  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值: -/4μs
  • 測試條件: 300V,6.5A,1 千歐
  • 反向恢復(fù)時間(trr): -
  • 產(chǎn)品封裝: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 安裝類型: 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝: DPAK
  • NGD8201BNT4G均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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