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圖片信息
NGD18N40CLBT4G圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):NGD18N40CLBT4G
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 430V 15A 115W DPAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:?jiǎn)温稩GBT
  • 點(diǎn)擊此處下載NGD18N40CLBT4G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào):NGD18N40CLBT4G
  • 制造廠家名稱:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT 430V 15A 115W DPAK
  • 系列:-
  • IGBT 類型:-
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):430V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):15A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):50A
  • 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):2.5V @ 4V,15A
  • 功率 - 最大值:115W
  • Switching Energy:-
  • 輸入類型:邏輯
  • Gate Charge:-
  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:-
  • Test Condition:-
  • 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-
  • 產(chǎn)品封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝:DPAK-3
  • NGD18N40CLBT4G均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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