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圖片信息
NGB8207BNT4G圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:NGB8207BNT4G
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單路IGBT
  • 點(diǎn)擊此處下載NGB8207BNT4G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NGB8207BNT4G
  • 制造廠家名稱:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
  • 系列:-
  • IGBT 類型:-
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):365V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):20A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):50A
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.6V @ 4V,20A
  • 功率 - 最大值:165W
  • Switching Energy:-
  • 輸入類型:邏輯
  • Gate Charge:-
  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:-
  • Test Condition:-
  • 反向恢復(fù)時間 (trr):-
  • 產(chǎn)品封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK
  • NGB8207BNT4G均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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