深圳市南皇電子有限公司長期提供NGB8207BNT4G(品牌: ON)充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品
技術(shù)參數(shù)詳解:
ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NGB8207BNT4G制造廠家名稱:ON Semiconductor描述:IGBT 365V 20A 165W D2PAK3系列:-IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):365V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):20ACurrent - Collector Pulsed (Icm):50A不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.6V @ 4V,20A功率 - 最大值:165WSwitching Energy:-輸入類型:邏輯Gate Charge:-25°C 時 Td(開/關(guān))值:-Test Condition:-反向恢復(fù)時間 (trr):-產(chǎn)品封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAKNGB8207BNT4G均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!