深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供HGTD1N120BNS9A（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號(hào)：HGTD1N120BNS9A制造商：ON Semiconductor描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：有源IGBT類型：NPT電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V電流-集電極(Ic)（最大值）：5.3A電流-集電極脈沖(Icm)：6A不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，1A功率-最大值：60W開關(guān)能量：70μJ（開），90μJ（關(guān)）輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷：14nC25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：15ns/67ns測(cè)試條件：960V，1A，82 歐姆，15V反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63HGTD1N120BNS9A均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
