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深圳市南皇電子有限公司長期提供FGD3N60LSDTM-T（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：FGD3N60LSDTM-T

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：INTEGRATED CIRCUIT

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：FGD3N60LSDTM-T

制造商：ON Semiconductor

描述：INTEGRATED CIRCUIT

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：6A

電流-集電極脈沖(Icm)：25A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 10V，3A

功率-最大值：40W

開關(guān)能量：250μJ（開），1mJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：12.5nC

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：40ns/600ns

測試條件：480V，3A，470 歐姆，10V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：234ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

FGD3N60LSDTM-T均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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