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圖片信息
PSMN5R0-100ES圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：PSMN5R0-100ES
  • 原始制造廠商：Nexperia，安世半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：FET，MOSFET - 單-晶體管
  • 點擊此處下載PSMN5R0-100ES的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Nexperia公司器件型號：PSMN5R0-100ES,127
  • 制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導(dǎo)體）-2017年從NXP分離
  • 功能總體描述：MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
  • 所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管
  • 系列：-
  • 零件狀態(tài)：在售
  • FET 類型：N 溝道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源極電壓（Vdss）：100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：120A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：170nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：9900pF @ 50V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：338W（Tc）
  • 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：5 毫歐 @ 25A，10V
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • Nexperia公司標準封裝：I2PAK
  • 封裝形式：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
  • PSMN5R0-100ES的標準包裝數(shù)量(SPQ)：- PCS
  • PSMN5R0-100ES均從Nexperia代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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