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圖片信息
PMPB20EN圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：PMPB20EN
  • 原始制造廠商：Nexperia，安世半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：FET，MOSFET - 單-晶體管
  • 點擊此處下載PMPB20EN的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Nexperia公司器件型號：PMPB20EN,115
  • 制造商：Nexperia USA Inc.（安世半導(dǎo)體）-2017年從NXP分離
  • 功能總體描述：MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
  • 所屬類別：FET，MOSFET - 單-晶體管
  • 系列：-
  • 零件狀態(tài)：在售
  • FET 類型：N 溝道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源極電壓（Vdss）：30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：7.2A（Ta）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）：10.8nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：435pF @ 10V
  • Vgs（最大值）：-
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.7W（Ta），12.5W（Tc）
  • 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）：19.5 毫歐 @ 7A，10V
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝
  • Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝：6-DFN2020MD（2x2）
  • 封裝形式：6-UDFN
  • PMPB20EN的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ)：3000 PCS
  • PMPB20EN均從Nexperia代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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