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圖片信息
PMDXB600UNE圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：PMDXB600UNE
  • 原始制造廠商：NXP，恩智浦半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：場效應(yīng)管陣列
  • 點擊此處下載PMDXB600UNE的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • NXP恩智浦完整型號：PMDXB600UNE
  • 制造廠家名稱：NXP Semiconductors
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
  • 系列：TrenchFET
  • FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：600mA
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：620 毫歐 @ 600mA， 4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：21.3pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：265mW
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：6-XFDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商器件封裝：6-DFN （1.1x1）
  • PMDXB600UNE均從NXP代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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