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圖片信息
BLP05H6350XRY圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：BLP05H6350XRY
  • 原始制造廠商：NXP，恩智浦半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：POWER LDMOS TRANSISTOR
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：RF FET
  • 點擊此處下載BLP05H6350XRY的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • NXP恩智浦完整型號: BLP05H6350XRY
  • 制造廠家名稱: NXP Semiconductors
  • 功能總體簡述: POWER LDMOS TRANSISTOR
  • 系列: -
  • 晶體管類型: LDMOS（雙），共源
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）: -
  • 頻率: 108MHz
  • 增益: 27dB
  • 頻率 - 躍遷: -
  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）: -
  • 電壓 - 測試: 50V
  • 額定電流: -
  • 功率 - 最大值: -
  • 噪聲系數(shù): -
  • 不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: -
  • 電流 - 測試: 100mA
  • 功率 - 輸出: 350W
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）: -
  • 安裝類型: -
  • 電壓 - 額定: 135V
  • 封裝/外殼: SOT-1223-2
  • 供應(yīng)商器件封裝:
  • BLP05H6350XRY均從NXP代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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