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圖片信息
APTGT25H120T1G圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：APTGT25H120T1G
  • 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
  • 技術標準參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 40A 156W SP1
  • 產(chǎn)品應用分類：晶體管 - IGBT - 模塊
  • 點擊此處下載APTGT25H120T1G的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：APTGT25H120T1G
  • 制造商：Microsemi Corporation
  • 描述：IGBT MODULE 1200V 40A 156W SP1
  • 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • IGBT類型：溝槽型場截止
  • 配置：全橋反相器
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：40A
  • 功率-最大值：156W
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，25A
  • 電流-集電極截止（最大值）：250μA
  • 不同?Vce時輸入電容(Cies)：1.8nF @ 25V
  • 輸入：標準
  • NTC熱敏電阻：是
  • 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝：SP1
  • APTGT25H120T1G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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