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圖片信息
APT45GP120J圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：APT45GP120J
  • 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 1200V 75A 329W SOT227
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：IGBT模塊
  • 點(diǎn)擊此處下載APT45GP120J的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Microsemi美高森美完整型號：APT45GP120J
  • 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
  • 描述：IGBT 1200V 75A 329W SOT227
  • 系列：POWER MOS 7
  • IGBT 類型：PT
  • 配置：單一
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：75A
  • 功率 - 最大值：329W
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：3.9V @ 15V，45A
  • 電流 - 集電極截止（最大值）：500μA
  • 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies)：3.94nF @ 25V
  • 輸入：標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻：無
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：ISOTOP
  • 供應(yīng)商器件封裝：ISOTOP
  • APT45GP120J均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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