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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供DN3145N8-G(品牌: Microchip)充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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圖片信息
DN3145N8-G圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):DN3145N8-G
  • 原始制造廠商:Microchip,微芯科技
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載DN3145N8-G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):DN3145N8-G
  • 制造商:Microchip Technology
  • 描述:MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類(lèi)型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):450V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):100mA(Tj)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):0V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):60 歐姆 @ 100mA,0V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):120pF @ 25V
  • FET功能:耗盡模式
  • 功率耗散(最大值):1.3W(Ta)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
  • 器件封裝:TO-243AA(SOT-89)
  • DN3145N8-G均從Microchip代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時(shí)刻努力成為您值得信賴(lài)的IC供應(yīng)商
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    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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