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圖片信息
PTAB182002TCV2R250XTMA1圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：PTAB182002TCV2R250XTMA1
  • 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
  • 技術標準參數(shù)：IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
  • 產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
  • 點擊此處下載PTAB182002TCV2R250XTMA1的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：PTAB182002TCV2R250XTMA1
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • 晶體管類型：LDMOS
  • 頻率：1.805GHz ~ 1.88GHz
  • 增益：14.8dB
  • 電壓-測試：28V
  • 額定電流（安培）：10μA
  • 噪聲系數(shù)：-
  • 電流-測試：520mA
  • 功率-輸出：29W
  • 電壓-額定：65V
  • 封裝：H-49248H-4
  • PTAB182002TCV2R250XTMA1均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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