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圖片信息
IPD90N04S4L-04圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：IPD90N04S4L-04
  • 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
  • 技術標準參數：MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
  • 產品應用分類：單端場效應管
  • 點擊此處下載IPD90N04S4L-04的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數詳解：
  • Infineon英飛凌公司完整型號：IPD90N04S4L-04
  • 制造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：90A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.8 毫歐 @ 90A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 35μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4690pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：71W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應商器件封裝：PG-TO252-3-313
  • IPD90N04S4L-04均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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