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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
IPB025N10N3 G圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：IPB025N10N3 G
  • 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管
  • 點(diǎn)擊此處下載IPB025N10N3 G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Infineon英飛凌公司完整型號：IPB025N10N3 G
  • 制造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：180A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：2.5 毫歐 @ 100A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 275μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：206nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：14800pF @ 50V
  • 功率 - 最大值：300W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB
  • 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-7
  • IPB025N10N3 G均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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